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STB80NF55-06T 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

D2PAK-263

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB80NF55-06T 数据手册 (15 页)

STB80NF55-06T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

D2PAK-263

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

155 ns

输入电容值(Ciss)

4400pF @25V(Vds)

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300000 mW

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STB80NF55-06T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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STB80NF55-06T 符合标准

STB80NF55-06T 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.67 MByte

STB80NF55-06T 产品封装文件

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