STB80NF55-06T4

￥ 1.505

STB80NF55-06T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB80NF55-06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB80NF55-06T4 数据手册 (17 页)

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STB80NF55-06T4 数据手册 (17 页)

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STB80NF55-06T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

55.0 V

额定电流

80.0 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.005 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

155 ns

输入电容值(Ciss)

4400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

查看数据手册 >

STB80NF55-06T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB80NF55-06T4 符合标准

STB80NF55-06T4 海关信息

STB80NF55-06T4 数据手册

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17 页 / 0.42 MByte

STB80NF55-06T4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.41 MByte

STB80NF55-06T4 产品封装文件

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