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STB95N3LLH6
0.976
STB95N3LLH6 数据手册 (18 页)
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STB95N3LLH6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
0.0037 Ω
极性
N-Channel
功耗
70 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
91 ns
输入电容值(Ciss)
2200pF @25V(Vds)
下降时间
23.4 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70W (Tc)

STB95N3LLH6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.75 mm
宽度
10.4 mm
高度
4.6 mm
工作温度
175℃ (TJ)

STB95N3LLH6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.9 MByte

STB95N3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MOSFET,已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
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