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STB95N4F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB95N4F3 数据手册 (20 页)

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STB95N4F3 数据手册 (20 页)

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STB95N4F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

110 W

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STB95N4F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB95N4F3 符合标准

STB95N4F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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