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STB9NK70Z-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB9NK70Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB9NK70Z-1 数据手册 (14 页)

原理图在1 页

STB9NK70Z-1 数据手册 (14 页)

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STB9NK70Z-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel

功耗

115 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

700 V

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

1370pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

115 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

115W (Tc)

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STB9NK70Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB9NK70Z-1 符合标准

STB9NK70Z-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.65 MByte

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