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STC03DE170
3.01
STC03DE170 数据手册 (9 页)
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STC03DE170 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
1.70 kV
额定电流
3 A
封装
TO-247-4
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
额定电压
1700 V

STC03DE170 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

STC03DE170 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.34 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.32 MByte

STC03 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STC03DE170HV 系列 1.7 kV 3 A 混合 发射体 开关 双极晶体管 TO-247
ST Microelectronics(意法半导体)
混合发射极开关双极晶体管ESBT 1700V - 3A - 0.55OHM Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1700V - 3A - 0.55OHM
ST Microelectronics(意法半导体)
ESBT 晶体管,STMicroelectronics发射器开关双极晶体管 (ESBT) 是混合双极 MOSFET 设备,可提供快速高电压切换。低等效接通电阻 超快切换 高电压,高达 2200V 应用:基于三相电源的单开关 SMPSU ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ST Microelectronics(意法半导体)
混合发射极开关双极晶体管ESBT 1700 V - 3 A - 0.55欧姆 HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1700 V - 3 A - 0.55 Ohm
ST Microelectronics(意法半导体)
混合发射极开关双极晶体管ESBT 1500 V - 3 A - 0.55欧姆 HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1500 V - 3 A - 0.55 ohm
ST Microelectronics(意法半导体)
混合发射极开关双极晶体管ESBT 2200 V - 3 A - 0.33 з Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 2200 V - 3 A - 0.33 з
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