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STC03DE220HV
4.524
STC03DE220HV 数据手册 (10 页)
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STC03DE220HV 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
封装
TO-247-4
最小电流放大倍数
15
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
166 W

STC03DE220HV 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
24.15 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

STC03DE220HV 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.16 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.14 MByte

STC03DE220 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
ESBT 晶体管,STMicroelectronics发射器开关双极晶体管 (ESBT) 是混合双极 MOSFET 设备,可提供快速高电压切换。低等效接通电阻 超快切换 高电压,高达 2200V 应用:基于三相电源的单开关 SMPSU ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ST Microelectronics(意法半导体)
混合发射极开关双极晶体管ESBT 2200 V - 3 A - 0.33 з Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 2200 V - 3 A - 0.33 з
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