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STD10N60DM2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N-沟道 600 V 0.53 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD10N60DM2 数据手册 (15 页)

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STD10N60DM2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

440 mΩ

功耗

109 W

阈值电压

3 V

输入电容

529 pF

漏源击穿电压

600 V

上升时间

5 ns

最小反向击穿电压

600 V

输入电容值(Ciss)

529pF @100V(Vds)

下降时间

11.5 ns

下降时间(Max)

11.5 ns

上升时间(Max)

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

109W (Tc)

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STD10N60DM2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD10N60DM2 符合标准

STD10N60DM2 概述

STD10N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.62 MByte

STD10N60DM2 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STD10N60DM2 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.75 MByte

STD10N60DM2 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 0.85 MByte

STD10N60DM2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.78 MByte

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STD10N60M2 数据手册

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N-沟道 600 V 0.53 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

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