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STD11N50M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

场效应管(MOSFET) STD11N50M2 DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD11N50M2 数据手册 (20 页)

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STD11N50M2 数据手册 (20 页)

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STD11N50M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.53 Ω

功耗

85 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

395pF @100V(Vds)

下降时间

28.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

85W (Tc)

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STD11N50M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD11N50M2 符合标准

STD11N50M2 海关信息

STD11N50M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 0.94 MByte

STD11N50M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.96 MByte

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