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STD12N50DM2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD12N50DM2 数据手册 (17 页)

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STD12N50DM2 数据手册 (17 页)

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STD12N50DM2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

350 mΩ

功耗

110 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

628pF @100V(Vds)

下降时间

9.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STD12N50DM2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD12N50DM2 符合标准

STD12N50DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.63 MByte

STD12N50DM2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.79 MByte

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