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STD155N3H6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD155N3H6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD155N3H6 数据手册 (18 页)

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STD155N3H6 数据手册 (18 页)

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STD155N3H6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0025 Ω

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

3650pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STD155N3H6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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STD155N3H6 符合标准

STD155N3H6 概述

STD155N3H6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.92 MByte

STD155N3H6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.31 MByte

STD155N3 数据手册

STD155N3H6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STD155N3H6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V

STD155N3LH6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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