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STD15P6F6AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.13 ohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD15P6F6AG 数据手册 (60 页)

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STD15P6F6AG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

功耗

35 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

5.3 ns

输入电容值(Ciss)

340pF @48V(Vds)

下降时间

3.7 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

35W (Tc)

STD15P6F6AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

175℃ (TJ)

STD15P6F6AG 符合标准

STD15P6F6AG 概述

STD15P6F6AG 数据手册

STD15P6F6AG 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STD15P6F6AG 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STD15P6F6AG 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.33 MByte

STD15P6F6AG 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.62 MByte

STD15P6F6 数据手册

STD15P6F6AG 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.13 ohm, -10 V, -4 V

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