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STD15W-S
0.134
STD15W-S 数据手册 (1 页)
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STD15W-S 技术参数、封装参数

类型
描述
工作温度(Max)
106 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

STD15W-S 数据手册

TE Connectivity(泰科)
1 页 / 0.03 MByte
TE Connectivity(泰科)
3 页 / 0.2 MByte
TE Connectivity(泰科)
85 页 / 5.31 MByte

STD15 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD155N3H6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.13 ohm, -10 V, -4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK ™ - IPAK的STripFET ™伊犁功率MOSFET N-channel 24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK™ - IPAK STripFET™ IlI Power MOSFET
TE Connectivity(泰科)
TE CONNECTIVITY / RAYCHEM  STD15W-1  电缆标识, E 型15 编号1
TE Connectivity(泰科)
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