STD26NF10

￥ 1.245

STD26NF10 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道100V - 0.033Ω - 25A - DPAK低栅极电荷的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 100V - 0.033Ω - 25A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD26NF10 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STD26NF10 数据手册 (13 页)

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STD26NF10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.033 Ω

极性

N-CH

功耗

100 W

阈值电压

3 V

输入电容

1550 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

25A

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

1550pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

100 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

查看数据手册 >

STD26NF10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

STD26NF10 符合标准

STD26NF10 概述

STD26NF10 数据手册

STD26NF10 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.37 MByte

STD26NF10 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.35 MByte

STD26NF10 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.21 MByte

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晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -2.5 V

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