Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STD30NE06 Datasheet 文档
STD30NE06
0
STD30NE06 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STD30NE06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252
极性
N-Channel
漏源击穿电压
60.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A

STD30NE06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

STD30NE06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.16 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.07 MByte

STD30 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD30PF03LT4  晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD30NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD30NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD30NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
STD30N10F7 系列 100 V 0.024 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 Mosfet - DPAK-3
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
P沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
P沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V( BR ) DSS | 30A I( D) | TO- 252AA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z