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STD30NE06LT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD30NE06LT4 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STD30NE06LT4 数据手册 (8 页)

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STD30NE06LT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-252-3

漏源极电阻

22.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

55W (Tc)

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

输入电容值(Ciss)

2370pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

55W (Tc)

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STD30NE06LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

175℃ (TJ)

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STD30NE06LT4 符合标准

STD30NE06LT4 概述

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