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STD35NF3LLT4
0.228
STD35NF3LLT4 数据手册 (13 页)
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STD35NF3LLT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
35.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
0.014 Ω
极性
N-Channel
功耗
50 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
35.0 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
50 W
下降时间
21 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50W (Tc)

STD35NF3LLT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD35NF3LLT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD35NF3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STD35NF 系列 N 沟道 30 V 0.0195 Ohm STripFET™ II 功率 Mosfet - TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.014ohm - 35A - DPAK封装的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.014ohm - 35A - DPAK封装的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.014欧姆 - 35A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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