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STD3NK50Z-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD3NK50Z-1 数据手册 (14 页)

原理图在1 页

STD3NK50Z-1 数据手册 (14 页)

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STD3NK50Z-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

45 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

1.15 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

280pF @25V(Vds)

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

45W (Tc)

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STD3NK50Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

6.6 mm

宽度

2.4 mm

高度

6.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD3NK50Z-1 符合标准

STD3NK50Z-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.46 MByte

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N沟道500V - 2.8ohm - 2.3A TO- 92 / DPAK / IPAK齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET

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