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STD3NK60ZD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道600 V ， 3.3 Ω ， 2.4 A， DPAK SuperFREDMesh ™功率MOSFET N-channel 600 V, 3.3 Ω, 2.4 A, DPAK SuperFREDMesh™ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD3NK60ZD 数据手册 (14 页)

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STD3NK60ZD 数据手册 (14 页)

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STD3NK60ZD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

45W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

2.4A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

311pF @25V(Vds)

下降时间

14 ns

耗散功率(Max)

45W (Tc)

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STD3NK60ZD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD3NK60ZD 符合标准

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ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.34 MByte

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