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STD3NK80Z
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STD3NK80Z 数据手册 (13 页)
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STD3NK80Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
DPAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
2.5A

STD3NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

STD3NK80Z 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.7 MByte

STD3NK80 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD3NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD3NK80Z-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道800V - 3.8ヘ - 2.5A - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 3.8ヘ - 2.5A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道800 V , 3.8 Ω , 2.5 A , TO- 220 , TO- 220FP , DPAK , IPAK齐纳保护超网™功率MOSFET N-channel 800 V, 3.8 Ω, 2.5 A, TO-220, TO-220FP, DPAK, IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
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