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STD40P3LLH6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD40P3LLH6 数据手册 (17 页)

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STD40P3LLH6 数据手册 (17 页)

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STD40P3LLH6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

12 mΩ

功耗

60 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

上升时间

93 ns

输入电容值(Ciss)

2615pF @25V(Vds)

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

60W (Tc)

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STD40P3LLH6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD40P3LLH6 符合标准

STD40P3LLH6 概述

STD40P3LLH6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.57 MByte

STD40P3LLH6 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STD40P3LLH6 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.33 MByte

STD40P3LLH6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.71 MByte

STD40P3 数据手册

STD40P3LLH6 数据手册

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