￥ 0.918

STD4NK80Z-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

N沟道800V - 3ohm - 3A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 3ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD4NK80Z-1 数据手册 (18 页)

封装尺寸在11 页 12 页 13 页 14 页 15 页

STD4NK80Z-1 数据手册 (18 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STD4NK80Z-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

功耗

80 W

漏源极电压(Vds)

800 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

575pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

80 W

下降时间

32 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

80W (Tc)

查看数据手册 >

STD4NK80Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STD4NK80Z-1 符合标准

STD4NK80Z-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.53 MByte

STD4NK80Z-1 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.53 MByte

STD4NK80 数据手册

STD4NK80ZT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STD4NK80Z-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道800V - 3ohm - 3A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 3ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

STD4NK80Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道800V - 3ヘ - 3A - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳 - 保护SuperMESH⑩ MOSFET N-channel 800V - 3ヘ - 3A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH⑩ MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号