￥ 1.018

STD5N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N-沟道 600 V 3.5 A 1.4 Ohm 表面贴装 MDmesh II Plus Mosfet - DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD5N60M2 数据手册 (23 页)

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STD5N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

45 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

3.7A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

211pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

45 W

下降时间

15 ns

耗散功率(Max)

45W (Tc)

STD5N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

STD5N60M2 符合标准

STD5N60M2 海关信息

STD5N60M2 数据手册

STD5N60M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 0.8 MByte

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27 页 / 0.52 MByte

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