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STD60N3LH5-H 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD60N3LH5-H 技术参数、封装参数

类型

描述

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

48A

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 1.08 MByte

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.19 MByte

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V

ST Microelectronics（意法半导体）

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET

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