￥ 0

STD60NH03L1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-251

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD60NH03L1 数据手册 (16 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STD60NH03L1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-251

漏源极电阻

9.00 mΩ

极性

N-Channel

功耗

70.0 W

漏源极电压(Vds)

30.0 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

95.0 ns

查看数据手册 >

STD60NH03L1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

查看数据手册 >

STD60NH03L1 符合标准

STD60NH03L1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.48 MByte

STD60NH03 数据手册

STD60NH03LT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.0075 W¯¯ - 60A DPAK / IPAK的STripFET III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET

STD60NH03L-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET

STD60NH03L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.0075 W¯¯ - 60A DPAK / IPAK的STripFET III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET

STD60NH03L1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号