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STD60NH03L-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

N沟道30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD60NH03L-1 数据手册 (16 页)

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STD60NH03L-1 数据手册 (16 页)

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STD60NH03L-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-251-3

漏源极电阻

9.00 mΩ

极性

N-Channel

功耗

70 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

95 ns

输入电容值(Ciss)

2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STD60NH03L-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

6.6 mm

宽度

2.4 mm

高度

6.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD60NH03L-1 符合标准

STD60NH03L-1 概述