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STD80N4F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD80N4F6 数据手册 (18 页)

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STD80N4F6 数据手册 (18 页)

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STD80N4F6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

70 W

阈值电压

4 V

输入电容

2150 pF

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

7.6 ns

输入电容值(Ciss)

2150pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

11.9 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STD80N4F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD80N4F6 符合标准

STD80N4F6 概述

STD80N4F6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 1.41 MByte

STD80N4F6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 1.08 MByte

STD80N4F6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 1.4 MByte

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STD80N4F6 数据手册

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