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器件3D模型
¥ 2.783
STF10N80K5 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
STF10N80K5 管装
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STF10N80K5 数据手册 (17 页)
封装尺寸
在
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12 页
13 页
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STF10N80K5 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.47 Ω
极性
N-CH
功耗
30 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
9A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
635pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
30 W
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
30W (Tc)
查看数据手册 >
STF10N80K5 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
STF10N80K5 符合标准
STF10N80K5 海关信息
STF10N80K5 数据手册
STF10N80K5
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.81 MByte
STF10N80K5
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.55 MByte
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