￥ 0.457

STF11N65K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

650V,0.765Ω,11A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STF11N65K3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在10 页 11 页

STF11N65K3 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STF11N65K3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

35W (Tc)

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

11A

输入电容值(Ciss)

1180pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

35 W

耗散功率(Max)

35W (Tc)

查看数据手册 >

STF11N65K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STF11N65K3 符合标准

STF11N65K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.79 MByte

STF11N65K3 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.26 MByte

STF11N65 数据手册

STF11N65M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STF11N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V

STF11N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STF11N65M2(045Y) 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STF11N65K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

650V,0.765Ω,11A,N沟道功率MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号