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STF11NM65N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道650 V， 0.425 I©典型值，11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK ， TO- 220FP ， IÂ²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Î© typ., 11 A MDmeshâ¢II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, IÂ²PAKFP and TO-220 packages

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF11NM65N 数据手册 (20 页)

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STF11NM65N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

30 W

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

800pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

25 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

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STF11NM65N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STF11NM65N 符合标准

STF11NM65N 概述