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STF18N55M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

550V,13A,N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF18N55M5 数据手册 (22 页)

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STF18N55M5 数据手册 (22 页)

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STF18N55M5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

0.18 Ω

极性

N-Channel

功耗

25 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

550 V

上升时间

9.5 ns

输入电容值(Ciss)

1260pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

25 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

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STF18N55M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STF18N55M5 符合标准

STF18N55M5 概述

STF18N55M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.21 MByte

STF18N55M5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.46 MByte

STF18N55M5 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.09 MByte

STF18N55M5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.5 MByte

STF18N55 数据手册

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