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STF19NM65N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF19NM65N 数据手册 (19 页)

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STF19NM65N 数据手册 (19 页)

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STF19NM65N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

270 mΩ

功耗

35 W

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

650 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

1900pF @50V(Vds)

下降时间

26 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

35W (Tc)

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STF19NM65N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.3 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STF19NM65N 符合标准

STF19NM65N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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