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STF20NM60D
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STF20NM60D 数据手册 (15 页)
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STF20NM60D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
45W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
45W (Tc)

STF20NM60D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

STF20NM60D 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.32 MByte

STF20NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.26ohm - 20A TO- 220 , TO- 220FP - TO- 247 FDmesh功率MOSFET (具有快速二极管) N-CHANNEL 600V - 0.26ohm - 20A TO-220-TO-220FP-TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道650V @ TJMAX - 0.25欧姆 - 20A I2PAK / TO- 220 / TO- 220FP N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 Ohm - 20A I2PAK/TO-220/TO-220FP
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