￥ 1.454

STF21NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF21NM60N 数据手册 (18 页)

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STF21NM60N 数据手册 (18 页)

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STF21NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

17.0 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

180 mΩ

极性

N-Channel

功耗

30 W

输入电容

1.95 nF

栅电荷

66.6 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±25.0 V

连续漏极电流(Ids)

17.0 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

1900pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

下降时间

31 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

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STF21NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.3 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STF21NM60N 符合标准