Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STF28N60M2 Datasheet 文档
STF28N60M2
1.148
STF28N60M2 数据手册 (16 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STF28N60M2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
120 mΩ
功耗
30 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
上升时间
7.2 ns
输入电容值(Ciss)
1440pF @100V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
30W (Tc)

STF28N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
16.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STF28N60M2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.84 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.86 MByte

STF28N60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STF28N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z