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STF7N52DK3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF7N52DK3 数据手册 (16 页)

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STF7N52DK3 数据手册 (16 页)

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STF7N52DK3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.95 Ω

极性

N-Channel

功耗

25 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

525 V

漏源击穿电压

525 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

870pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

25 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

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STF7N52DK3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STF7N52DK3 符合标准

STF7N52DK3 概述

STF7N52DK3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.91 MByte

STF7N52DK3 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.41 MByte

STF7N52DK3 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

34 页 / 0.79 MByte

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