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STF7NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-5

描述:

STMICROELECTRONICS STF7NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STF7NM60N 数据手册 (17 页)

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STF7NM60N 数据手册 (17 页)

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STF7NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-5

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.84 Ω

极性

N-Channel

功耗

20 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

363pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

20 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

20W (Tc)

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STF7NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STF7NM60N 符合标准

STF7NM60N 概述

STF7NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.85 MByte

STF7NM60N 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.09 MByte

STF7NM60N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

34 页 / 0.79 MByte

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