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STF9NK90Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STF9NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 900 V, 1.1 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STF9NK90Z 数据手册 (17 页)

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STF9NK90Z 数据手册 (17 页)

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STF9NK90Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.1 Ω

极性

N-Channel

功耗

40 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

3.60 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

2115pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

40 W

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

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STF9NK90Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STF9NK90Z 符合标准

STF9NK90Z 海关信息

STF9NK90Z 概述

STF9NK90Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.96 MByte

STF9NK90Z 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

11 页 / 0.35 MByte

STF9NK90 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道900V - 1.1W - 8A TO- 220 / TO- 220FP / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 900V - 1.1W - 8A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET

STF9NK90Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STF9NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 900 V, 1.1 ohm, 10 V, 3.75 V

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