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STFW3N150 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

STMICROELECTRONICS STFW3N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 6 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STFW3N150 数据手册 (2 页)

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STFW3N150 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

6 Ω

极性

N-Channel

功耗

63 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

1500 V

上升时间

47 ns

输入电容值(Ciss)

939pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

63 W

下降时间

61 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

63W (Tc)

查看数据手册 >

STFW3N150 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.7 mm

宽度

5.7 mm

高度

26.7 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STFW3N150 符合标准

STFW3N150 海关信息

STFW3N150 概述

STFW3N150 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

2 页 / 0.07 MByte

STFW3N150 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.75 MByte

STFW3N150 产品封装文件

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23 页 / 1.03 MByte

STFW3N150 产品手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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