STGB10NC60KD_09 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS  STGB10NC60KDT4  单晶体管, IGBT, 10 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-263, 3 引脚

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

STGB10NC60K 系列 N 沟道 600 V 10 A 短路 PowerMesh IGBT - D2PAK

N沟道600V - 10A - TO- 220 - D2PAK非常快的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT

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N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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10 A， 600 V短路崎岖IGBT 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT