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STGB18N40LZT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STGB18N40LZT4 单晶体管, IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGB18N40LZT4 数据手册 (1 页)

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STGB18N40LZT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

功耗

150 W

输入电容

490 pF

击穿电压(集电极-发射极)

420 V

热阻

62.5 ℃/W

额定功率(Max)

150 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 W

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STGB18N40LZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGB18N40LZT4 符合标准

STGB18N40LZT4 海关信息

STGB18N40LZT4 概述

STGB18N40LZT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.15 MByte

STGB18N40LZT4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.08 MByte

STGB18N40LZT4 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

STGB18N40LZT4 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

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STGB18N40LZT4 数据手册

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STMICROELECTRONICS STGB18N40LZT4 单晶体管, IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263, 3 引脚

STGB18N40LZ-1 数据手册

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EAS 180毫焦耳 - 390 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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