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STGD18N40LZ 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

描述:

EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

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STGD18N40LZ 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STGD18N40LZT4 单晶体管, IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252, 3 引脚

ST Microelectronics（意法半导体）

EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

ST Microelectronics（意法半导体）

EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

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