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STGD18N40LZ-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-251-3

描述:

EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGD18N40LZ-1 数据手册 (25 页)

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STGD18N40LZ-1 数据手册 (25 页)

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STGD18N40LZ-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

功耗

125000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

420 V

额定功率(Max)

125 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

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STGD18N40LZ-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.6 mm

宽度

2.4 mm

高度

6.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGD18N40LZ-1 符合标准

STGD18N40LZ-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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ST Microelectronics（意法半导体）

EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

STGD18N40LZ 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

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