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器件3D模型
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STGD18N40LZT4 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-252-3
描述:
STMICROELECTRONICS STGD18N40LZT4 单晶体管, IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252, 3 引脚
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STGD18N40LZT4 数据手册 (25 页)
封装尺寸
在
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12 页
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STGD18N40LZT4 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
功耗
125 W
击穿电压(集电极-发射极)
420 V
额定功率(Max)
125 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
125 W
查看数据手册 >
STGD18N40LZT4 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >
STGD18N40LZT4 符合标准
STGD18N40LZT4 海关信息
STGD18N40LZT4 概述
●
IGBT 分立,STMicroelectronics
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EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT
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LZ
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