￥ 28.966

STGE200NB60S 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

STMICROELECTRONICS STGE200NB60S 单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGE200NB60S 数据手册 (13 页)

封装尺寸在10 页 11 页

STGE200NB60S 数据手册 (13 页)

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STGE200NB60S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

150 A

封装

SOT-227-4

额定功率

600 W

针脚数

4 Position

极性

N-Channel

功耗

600 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

200 A

上升时间

112 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

1.56nF @25V

额定功率(Max)

600 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

600000 mW

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STGE200NB60S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.5 mm

高度

9.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGE200NB60S 符合标准

STGE200NB60S 海关信息

STGE200NB60S 概述

STGE200NB60S 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.26 MByte

STGE200NB60S 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.25 MByte

STGE200NB60S 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STGE200NB60 数据手册

STGE200NB60S 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STGE200NB60S 单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚

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