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器件3D模型
¥ 5.948
STGF10NC60HD 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-220-3
描述:
STMICROELECTRONICS STGF10NC60HD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STGF10NC60HD 数据手册 (19 页)
封装尺寸
在
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12 页
13 页
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STGF10NC60HD 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
25 W
上升时间
6.00 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
22 ns
额定功率(Max)
24 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
24 W
查看数据手册 >
STGF10NC60HD 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
16.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
STGF10NC60HD 符合标准
STGF10NC60HD 海关信息
STGF10NC60HD 概述
●
IGBT 分立,STMicroelectronics
●
### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics
●
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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STGF10NC60HD 数据手册
STGF10NC60HD
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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STGF10NC60
KD
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STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
STGF10NC60
HD
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STGF10NC60HD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
STGF10NC60
SD
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STGF10NC60
KD_07
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
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