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STGP10NB60S 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STGP10NB60S 单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STGP10NB60S 数据手册 (19 页)

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STGP10NB60S 数据手册 (19 页)

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STGP10NB60S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

10.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

80 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

80 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

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STGP10NB60S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGP10NB60S 符合标准

STGP10NB60S 海关信息

STGP10NB60S 概述

STGP10NB60S 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.58 MByte

STGP10NB60S 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.07 MByte

STGP10NB60S 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

25 页 / 0.25 MByte

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