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STGP30H60DFB 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

单晶体管, IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGP30H60DFB 数据手册 (21 页)

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STGP30H60DFB 数据手册 (21 页)

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STGP30H60DFB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

功耗

260 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

53 ns

额定功率(Max)

260 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

260000 mW

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STGP30H60DFB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGP30H60DFB 符合标准

STGP30H60DFB 海关信息

STGP30H60DFB 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0 MByte

STGP30H60DFB 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

51 页 / 2.12 MByte

STGP30H60DFB 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STGP30H60DFB 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

35 页 / 2.4 MByte

STGP30H60DFB 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STGP30H60 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）

600V,30A,沟槽栅场截止型IGBT

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单晶体管, IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

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