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STGP8NC60K 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO- 220短路额定IGBT的PowerMESH N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGP8NC60K 数据手册 (17 页)

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STGP8NC60K 数据手册 (17 页)

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STGP8NC60K 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

65 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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STGP8NC60K 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGP8NC60K 符合标准

STGP8NC60K 概述

STGP8NC60K 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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