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STGW40NC60KD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

STGW40NC60V 系列 600 V 80 A 法兰安装超快 PowerMesh IGBT - TO-247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGW40NC60KD 数据手册 (13 页)

封装尺寸在10 页 11 页

STGW40NC60KD 数据手册 (13 页)

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STGW40NC60KD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

250000 mW

输入电容

2870 pF

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

热阻

50 ℃/W

反向恢复时间

45 ns

额定功率(Max)

250 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

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STGW40NC60KD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

5.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGW40NC60KD 符合标准

STGW40NC60KD 海关信息

STGW40NC60KD 概述

STGW40NC60KD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.82 MByte

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17 页 / 0.82 MByte

STGW40NC60KD 其他参考文件

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